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类型
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描述
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选择
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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CoolMOS™ P7
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包装
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管件
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零件状态
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在售
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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600 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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37A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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80 毫欧 @ 11.8A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 590µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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51 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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2180 pF @ 400 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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129W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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PG-TO247-4
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封装/外壳
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TO-247-4
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