图:LiFeAs表面应力诱导的褶皱
结合其它实验证据,研究者发现褶皱的局域单轴应力能改变能带结构,且不同类褶皱改变的方式不同:第一类褶皱使dxz能带移动到费米面之上,增加了态密度进而增强超导电性;第二类褶皱使dyz和dxz都移动到费米面之下,只留下dxy穿过费米面,故只能观测到dxy的小能隙。能带的移动导致可能的Lifshitz转变,进而影响超导电性。
该工作首次在LiFeAs体系中报导了超导增强的现象,说明不同方向的局域单轴应力对LiFeAs的非传统超导电性有强烈影响。相关研究成果发表在Nature Communications上。
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